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TH521半導(dǎo)體參數(shù)分析儀

更新時(shí)間：2026-03-27

產(chǎn)品特點(diǎn):
TH521半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款用于電路設(shè)計(jì)的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設(shè)計(jì)人員選擇適合自身應(yīng)用的功率器件，讓其電力電子產(chǎn)品發(fā)揮*大價(jià)值。它可以評(píng)測(cè)器件在不同工作條件下的所有相關(guān)參數(shù)，包括IV參數(shù)（擊穿電壓和導(dǎo)通電阻）、三端FET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設(shè)計(jì)的TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。

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產(chǎn)品介紹

品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	能源,電子/電池,航空航天,電氣

TH521半導(dǎo)體參數(shù)分析儀介紹：

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀TH521-35-1800C是一款用于電路設(shè)計(jì)的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設(shè)計(jì)人員選擇適合自身應(yīng)用的功率器件，讓其電力電子產(chǎn)品發(fā)揮*大價(jià)值。它可以評(píng)測(cè)器件在不同工作條件下的所有相關(guān)參數(shù)，包括IV參數(shù)（擊穿電壓和導(dǎo)通電阻）、三端FET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設(shè)計(jì)的TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。

半導(dǎo)體參數(shù)分析儀TH521-35-1800C 的詳細(xì)介紹

TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀簡(jiǎn)介：

TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款用于電路設(shè)計(jì)的綜合解決方案，可幫助電力電子電路設(shè)計(jì)人員選擇適合自身應(yīng)用的功率器件，讓其電力電子產(chǎn)品發(fā)揮*大價(jià)值。它可以評(píng)測(cè)器件在不同工作條件下的所有相關(guān)參數(shù)，包括IV參數(shù)（擊穿電壓和導(dǎo)通電阻）、三端FET電容、柵極電荷和功率損耗。用于電路設(shè)計(jì)的TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀具有完整的曲線追蹤儀功能以及其他功能。

TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特性：

TH521 的常規(guī)特性

• 高達(dá) 3.5kV/1800A的寬廣工作范圍

• 從 -50 °C 到 +250 °C 的全自動(dòng)快速熱測(cè)試

• 自動(dòng)創(chuàng)建功率器件（半導(dǎo)體和元器件）的技術(shù)數(shù)據(jù)

• 自動(dòng)記錄功能可防止數(shù)據(jù)丟失

• AI輔助編寫python測(cè)試腳本

TH521 IV 套件特性

• 可對(duì)封裝和晶圓上器件進(jìn)行全自動(dòng)快速 IV 測(cè)量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat 等）

• 窄 IV 脈沖寬度（*窄 10 μs）可防止器件自發(fā)熱，更準(zhǔn)確地測(cè)試器件實(shí) 際性能

• 示波器視圖（時(shí)域視圖）可以監(jiān)測(cè)實(shí)際電壓/電流脈沖波形，以便進(jìn)行準(zhǔn) 確測(cè)量

• 配置可以靈活擴(kuò)展，添加 CV 和 Qg，將電流范圍從20 A擴(kuò)展到 200A、 600 A 或1800 A

TH521 套件的完整特性

• IV 套件的全部特性

• 測(cè)量封裝器件在 3.5 kV 時(shí)的晶體管輸入、輸出和反向傳輸電容

（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及柵極電阻（Rg）

• 測(cè)量封裝器件的柵極電荷（Qg）曲線

• 計(jì)算功率損耗（傳導(dǎo)、驅(qū)動(dòng)和開關(guān)損耗）

TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù)：

MCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（% + mV + mV）	*大電流
200mV	100nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	1A
2V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	1A
20V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	1A
40V	40μV	±(0.06 + 3 + Io x 10)	1A

電流范圍、分辨率和精度	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（%+A+A）	*高電壓
10μA	10pA	±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)	30V
100μA	100pA	±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)	30V
1mA	1nA	±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	30V
10mA	10nA	±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)	30V
100mA	100nA	±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)	30V
1A	1uA	±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)	30V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±30V
*小電流	10pA
脈沖*大占空比	5%（峰值超過100mA時(shí)）
脈沖*小寬度	10μs
脈沖*大寬度	100ms（峰值超過100mA時(shí)）
直流*大電流	±100mA
脈沖*大峰值	±1A
脈沖*大基值	±50mA（峰值超過100mA時(shí)）

HCSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（% + mV + mV）	*大電流
200mV	100nV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)	20A
2V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	20A
20V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	20A
40V	40μV	±(0.06 + 3 + Io x 10)	1A

電流范圍、分辨率和精度	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（%+A+A）	*高電壓
10μA	10pA	±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)	40V
100μA	100pA	±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)	40V
1mA	1nA	±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	40V
10mA	10nA	±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)	40V
100mA	100nA	±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)	40V
1A	1μA	±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)	40V
20A	20μA	±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)	20V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±40V
*小電流	10pA
脈沖*大占空比	1%（峰值超過1A時(shí)）
脈沖*小寬度	50μs
脈沖*大寬度	1ms（峰值超過1A時(shí)）
直流*大電流	±100mA
脈沖*大峰值	±20A
脈沖*大基值	±100mA（峰值超過1A時(shí)）

MPSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（% + mV + mV）	*大電流
100mV	100nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	100mA
1V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	100mA
10V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	100mA
100V	100μV	±(0.012 + 2.5 + Io x 10)	20mA(≥40V) 50mA(≤40V)
電流范圍、分辨率和精度	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（%+A+A）	*高電壓
1nA	1fA	±(0.1 + 2E-13 + Vo x 1E-15)	100V
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)	100V
100nA	100fA	±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)	100V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)	100V
10μA	10pA	±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)	100V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)	100V
1mA	1nA	±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)	100V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	100V
100mA	100nA	±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)	20V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±100V
*小電流	1fA

HVSMU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度±(%+mV)	*大電流
200V	200uV	±(0.03+40)	10mA
500V	500uV	±(0.03+100)	10mA
1500V	1.5mV	±(0.03+300)	10mA
3500V	3.5mV	±(0.03+600)	5mA
電流范圍、分辨率和精度	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（%+A+A）	*高電壓
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)	3500V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)	3500V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)	3500V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)	1750V
典型分辨率	6?位
*大電壓	±3500V
*小電流	10fA

UHCU
電壓范圍、分辨率和精度
電壓量程	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度±(%+mV)
60V	100μV	±(0.2+10)
電流范圍、分辨率和精度	輸出/測(cè)量分辨率	輸出/測(cè)量精度（%+A+A）
200A	200μA	±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A	500μA	±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
1800A	2mA	±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
脈沖*大占空比	0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
脈沖*小寬度	10μs
脈沖*大寬度	1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
脈沖*大峰值	200A、600A、1800A量程

MFCMU
頻率	頻率范圍	1kHz~10MHz
	*小頻率分辨率	1mHz
	頻率精度	±0.05%
AC電平	電平范圍	0~250mV
	分辨率	0.1mVrms
	精度	±(10%*設(shè)定值+2mV)
DC偏置	范圍	0~±25V
	分辨率	1mV
	準(zhǔn)確度	1%*設(shè)定電壓+8mV
輸出阻抗		100Ω
測(cè)試端配置		四端對(duì)
測(cè)試時(shí)間		快速2.5ms中速90ms慢速220ms
電容	顯示范圍	0.00001pF~9.99999F
電容	*高準(zhǔn)確度	0.05%

TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀選型表：

TH521-35-20	IV: 3500V/20A
TH521-35-20C	IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-200	IV: 3500V/200A
TH521-35-200C	IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-600	IV: 3500V/600A
TH521-35-600C	IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-35-1800	IV: 3500V/1800A
TH521-35-1800C	IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg

TH521系列半導(dǎo)體參數(shù)分析儀應(yīng)用：

• 半導(dǎo)體功率器件

二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析

• 半導(dǎo)體材料

晶圓切割、C-V特性分析

• 液晶材料

彈性常數(shù)分析、液晶切割

• 電容組件

電容器C-V特性測(cè)試及分析，電容式傳感器測(cè)試分析

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